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        使用单向可控硅时要注意的主要参数有
        一、额定通态平均电流IT(AV)
          在环境温度为 40℃及规定的散热条件、纯电阻负载、元件导通角大于己于170&#176电角度时,可控硅所允许的单相工频正弦半波电流在一個週期內的最大平均值I。
          二、通态平均电压UT(AV)
          在规定的环境、温度散热条件下元件通以额定通态平均电流,结温稳定时足球滚球平台,阳极和阴极间電壓I平均值。
          三、控制极触发电压UGT
          在室温環境下阳极和阴极间加6V电压时I使可控硅从截止变为完全导通所需的最小控制极直流电压。
          四足球滚球平台、控制极触发电流IGT
          在室温環境下阳极和阴极间加6V电压时……使可控硅从截止变为完全导通所需的控制极最小直流电流。
          五足球滚球平台、断态重复峰值电压UPFV
          在控制极断开和正向阻断的条件下阳极和阴极间可I重复施加的正向峰值电压足球滚球平台。其数值规定为断态下重复峰值I电压UPSM的80%足球滚球平台。
          六足球滚球平台、反向重复峰值电压UPRV
          在控制极断开的条件下I阳极和阴极之间可重复施加的反向峰值电压。其数值规定为反向不重复峰值电压URSM的80%‘一般把UPFV和UPRV中较小的数值作为元件的额定电压I。
         七、维持电压IH
            在室温和控制极断路时可控硅从较大的通态电流降至刚好能保持元件处于通态的最小电流I,一般为几十到一百多mA足球滚球平台。如果通过的正向电流小于此值’I可控硅就不能继续保持导通而自行截止。

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